رسانش الکتریکی همدوس یک نانو لوله کربنی در رهیافت بستگی قوی
نویسندگان
چکیده
در این مطالعه ما رسانش الکتریکی یک نانو لوله کربنی ایده ال و یک نانو لوله کربنی در حضور پتانسیل خارجی یکنواخت را به کمک رهیافت بستگی قوی در نظریه پاسخ خطی مطالعه کرده و به کمک این رهیافت در تقریب همسایه نزدیک، به کمک ساز وکار تابع گرین رسانش این دستگاه را به دست می آوریم، نتایج به دست آمده نشان می دهد که در حضور پتانسیل خارجی علاوه بر محدودتر شدن ناحیه رسانش تشدیدی، در ابتدای (انتهای) پنجره مجاز ا نرژی، ساز وکار رسانش ازتشدیدی به تونل زنی تبدیل شده و در نهایت تعداد مدهای رسانش و در نتیجه رسانش کل کاهش می یابد.
منابع مشابه
مطالعه ساختار الکترونیکی و خاصیت رسانش نانو لوله های کربنی
در این پروژه سعی بر آن بود که خاصیت الکترونیکی و مکانیکی نانو لوله ها مورد بررسی قرار گیرد با توجه به اهمیت خواص مکانیکی نانو لوله ها مانند سفتی، مدل یانگ بالا و نسبت استحکام به چگالی بالا و همچنین کاربردهای فوق العاده این خاصیت در ادوات مختلفی مثل سنسورها، محرک ها و در ادوات الکترونیکی مثل مدارهای مجتمع، ترانزیستورها، ذخیره سازی و حافظه ها، ساخت ماشینهای شبیه سازنده، نیمه هادی ها؛ اساس صنعت ال...
15 صفحه اولبررسی رسانندگی الکتریکی نانو لوله های کربنی زیگزاگ (0و10) و اثر جذب گاز بر رسانش الکتریکی آن
در این پایان نامه هدف اصلی بررسی رسانندگی الکتریکی نانو لوله های کربنی به طور اعم و بررسی رسانش الکتریکی دو نوع نانو لوله نیمه رسانا زیگزاک می باشد. همچنین اثر جذب گاز روی ساختار باند نانو لوله به اختصار بررسی شده است. در فصل اول به طور کلی به معرفی ساختارهای کربنی شامل گرافیت، الماس، نانو-لوله و فلورین پرداخته شده است. در فصل دوم به طور مشخص و مفصل نانولوله های کربنی بررسی و ساختار هندسی آنها ...
15 صفحه اولمطالعه تحلیلی ترابرد الکترونی نانو لوله های نوعی با ساختار شبکه ای مربعی
در این تحقیق، با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی به مطالعه رسانش الکتریکی یک نانو لوله نوعی تک دیواره با ساختار شبکه مربعی، به صورت تحلیلی پرداخته شده است. اثر عوامل مختلفی همچون حضور نقص های پیوندی متقارن، فاصله بین نقص های پیوندی و تغییرات انرژی های پرش نانو لوله روی رفتار رسانندگی الکترونی بررسی شده است. نتایج حاصل از بررسی نانو لوله های نوعی مذکور نشان می دهد که نانو لوله با سا...
متن کاملوابستگی رسانش الکترونی یک نانو حلقه کربنی به محل اتصال هادی ها و میدان مغناطیسی اعمالی
در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین رسانش الکترونی یک نانو حلقه کربنی را برای موقعیت های مختلف اتصال هادی ها به آن در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی کردیم. نتایج نشان می دهد که با نزدیک شدن هادی ها در نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه گاف بهتر می شود. همچنین اعمال میدان مغناطیسی تأثیر زیادی بر طیف رسانش این نانو حلقه دارد، به گونه ای که وجود میدان باعث می شود مواردی که طیف رسان...
متن کاملمطالعه ی گذار فلز به عایق در نانو لوله گرافنی نقص دار با اعمال میدان الکتریکی : رهیافت آشوب کوانتومی
گذار فلز به عایق در یک نانو لوله ی تک جداره گرافنی در حضور ناکاملی ها با استفاده از تئوری آشوب کوانتومی بر مبنای هامیلتونی تنگ بست مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. نتایج به دست آمده نشان می دهند که اعمال میدان الکتریکی در امتداد محور نانو لوله نقص دار موجب گذار از فاز رسانا به عایق می شود. با استفاده تحلیل طیف انرژی و تحلیل مولتی فرکتالی، مقدار آستانه ی میدان الکتریکی برای بروز پدیده گذار تع...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
عنوان ژورنال:
پژوهش فیزیک ایرانجلد ۹، شماره ۴، صفحات ۲۹۵-۲۹۸
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023